存储制造商美光(Micron)已经开始发货世界上第一个232层3D NAND闪存，它提供了目前最高的三层电池(TLC)存储密度。
美光在存储密度上比以前有了重大飞跃176层NAND技术该公司还承诺提供232层NAND芯片数据传输速度提高50%(在新窗口打开)(2.4GB/s)，写带宽提高100%，读带宽提高75%。存储密度为每平方毫米14.6千兆比特，与上一代NAND相比，封装尺寸缩小了28%。
这款新芯片正在美光的新加坡工厂进行量产，最初将通过该公司的Crucial消费者购买固态硬盘产品系列并以组件形式向其合作伙伴提供。美光计划使存储可用于广泛的设备和设置，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑今年晚些时候还将推出“智能边缘”解决方案。
至于这款11.5 × 13.5毫米的小封装能容纳多少存储空间，美光表示我们可以期待每个芯片最多2tb(在新窗口打开)，每个芯片的存储容量可达1tb。对于移动设备来说，这也是一个好消息，因为232层NAND是第一个实现NV-LPDDR4低压接口的产品。这意味着每比特传输可以节省30%以上，这将有助于延长电池寿命。
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