纳米尺度一直是核心部分处理器几十年的规格。我们都习惯了听到英特尔谈论14nm和10nm芯片，但不会太久了。英特尔正在远离纳米级，并引入了一种新的工艺节点命名结构。
忘记使用“10nm superin”的芯片，习惯听到英特尔7、英特尔4、英特尔3，最终是英特尔20A芯片。英特尔认为(在新窗口打开)更名提供了“一个清晰一致的框架，让客户更准确地了解整个行业的流程节点。”在现实中，我们可能会问这样一个问题:“英特尔7芯片有多少纳米?”
新的命名方案分解如下:
与10nm的superin相比，英特尔7-up的每瓦性能提高了15%。
与英特尔7相比，英特尔4的每瓦性能提高了20%。
英特尔3与英特尔4相比，每瓦性能提高了18%。
英特尔7今年将用于Alder Lake处理器，2022年将用于Sapphire Rapids数据中心处理器。英特尔4处理器要到2023年才会上市，但意义重大，因为他们将是第一个使用高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)的处理器。事实上，英特尔声称它将是第一个使用高NA EUV生产工具的公司。
预计Meteor Lake处理器将使用英特尔4。然后我们有英特尔3，这是在英特尔4上的进一步优化，也是FinFET晶体管架构的最终优化。预计到2023年底将推出英特尔3处理器。
在英特尔3之后，英特尔的事情会变得非常有趣，因为英特尔20A将在2024年上市。FinFET将被一种名为RibbonFET的全新晶体管架构以及名为PowerVia的后端功率传输系统所取代。正如上面的视频所解释的那样，RibbonFET是一种“栅极全能晶体管”，它使用了由栅极包围的带状通道，允许更多的控制，更快的晶体管开关速度，因此在更小的占地面积内具有更高的性能。RibbonFET是一件大事，因为该公司自2011年首次推出FinFET以来一直依靠改进FinFET。
英特尔表示，PowerVia解决了当今计算领域最大的问题之一:“互连瓶颈”。PowerVia改变了传统的设计，把电源线放在晶体管的顶部，而把它们放在晶体管的下面。这是一种更有效的方法，处理电力直接输送到晶体管，同时允许更多的空间在晶体管的顶部信号路由。通过这一改变，英特尔可以利用频率提升和减少电源泄漏。
这种重新设计是通过使用新的纳米硅通孔(TSV)连接电源和晶体管层实现的，它比今天的TSV小500倍。英特尔20A也是英特尔与高通“合作”的第一个工艺节点，高通将使用20A制造产品。除了英特尔20A之外，还有英特尔18A，英特尔表示将于2025年初上市。随着英特尔20A引入了两项突破性技术，可以理解18A将专注于改进RibbonFET，所以希望我们能看到比20A的每瓦性能再提高两位数。
当然，这一切在纸面上听起来很棒，但英特尔承诺在未来四年中，通过全新的晶体管架构和电力输送系统，将取得一些重大性能提升。如果真能实现，英特尔坚持这一时间表将和芯片本身一样令人印象深刻。
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