第一个被广泛使用的非易失性存储器。磁芯储存在微小的铁氧体磁芯中,磁通量的方向决定了0或1。在20世纪40年代末,由Jay W. Forrester和An Wang博士开发的核心存储在20世纪50年代和60年代被广泛用作计算机的内部工作空间,直到它被半导体存储器取代。
核心(位)是通过向在核心位置相交的X线和Y线发送一半最大电流的脉冲来写入的。脉冲的方向决定了磁化强度(0或1)。同时接收两个脉冲的磁芯被改变了,因为它接收到的电流超过了一半。阅读是通过“破坏性”的阅读来完成的。一个“0”写在芯线上,如果芯线已经是0,感应线就不会收到电流。如果是1,就能感应到电流。完成读取的最后一步是重写位。
1956年,IBM向王博士支付了50万美元购买他的核心存储器专利,王博士用这笔钱扩大了他的公司王实验室(Wang Laboratories)。看到非易失性内存而且早期的记忆.